产品介绍
名称：Hafnium dioxide
元素含量比重：O (oxygen) 15.2%、Hf (hafnium) 84.8%
密度：9.68g/cm3
熔点：2758℃
摩尔质量：210.49 g/mol
CAS 号： 12055-23-1
蒸发压力：在2678℃时1Pa；在2875℃时10Pa
线膨胀系数：5.6×10-6/K
溶解度：不溶解于水
纯度:99.99
薄膜特性：透光范围～220～12000nm；折射率（250nm）～2.15 （500nm）～2
蒸发条件：用电子枪，氧分压～1～2×10-2Pa。蒸发温度～2600～2800℃，基片温度～250℃，蒸发速率2nm/s
应用领域:UV增透膜，干涉膜
二氧化铪是铪元素的一种氧化物，常温常压下为白色固体。白色粉末，有单斜、四方和立方三种晶体结构，熔点2780~2920K。沸点5400K。热膨胀系数5.8×10-6/℃。不溶于水、盐酸和硝酸。由硫酸铪、氯氧化铪等化合物热分解或水解制取。为生产金属铪和铪合金的原料。用作耐火材料、催化剂。
应用方向
二氧化铪是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起高度的关注，由于它可能替代目前硅基集成电路的核心器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO2)，以解决目前MOSFET中传统SiO2/Si结构的发展的尺寸极限问题。
贮存条件
本品应密封保存于干燥、阴凉的环境中，不宜长久暴露于空气中，防受潮发生团聚，影响分散性能和使用效果，另应避免重压，按照普通货物运输。