产品应用
二硅化钒，制备硅化钒薄膜，用大束流密度的钒金属离子注入硅，能够直接合成性能良好的薄层硅化物。随束流密度的增加，硅化钒相生长，薄层硅化物的方块电阻RS下降，当束流密度为25μA/cm2 时，Rs 达到最小值22Ψ，说明连续的硅化物已经形成。X 衍射分析表明，注入层中形成了V3Si 、V5Si3 、V3Si5 和VSi2 四种硅化钒。经过退火后，Rs 明显地下降，Rs 最小可降到9Ψ，电阻率可小到72μΨm ，说明硅化钒薄层质量得到了进一步的改善，大束流密度注入和退火后，硅化钒相进一步生长。大束流密度注入和高温退火(1200 ℃)仍然具有很低的薄层电阻率，这充分说明硅化钒具很好的热稳定性。透射电子微镜观察表明，连续硅化钒薄层厚度为80nm。

包装储存
本品为充惰气塑料袋包装，密封保存于干燥、阴凉的环境中，不宜暴露空气中，防受潮发生氧化团聚，影响分散性能和使用效果；包装数量可以根据客户要求提供，分装。